台积电在2nm制程节点上取得重大突破，将首次引入Gate-all-around FETs晶体管技术。相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。
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